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IXFN 20N120
55
50
45
Fig. 7. Transconductance
70
60
Fig. 8. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
40
35
30
25
T J = -40oC
25oC
125oC
50
40
30
20
15
10
5
0
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
0
5
10
15
20
25
30
35
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
10
I D - Amperes
Fig. 9. Gate Charge
10000
V S D - Volts
Fig. 10. Capacitance
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V DS = 600V
I D = 10A
I G = 10mA
1000
100
10
f = 1MHz
C iss
C oss
C rss
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q G - nanoCoulombs
V D S - Volts
Fig. 11. Maxim um Transient Therm al Resistance
0.18
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
1
10
Pulse Width - milliseconds
100
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343 6,583,505
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